Гарантийный срок: 12 мес.
  • Производитель:
  • Артикул:
    91159
  • Вес:
    0.07 кг
1 977.87BYN 1 661.41BYN
В наличии

Дата выхода на рынок: 2025 г.

Объём: 2 ТБ

Форм-фактор: M.2

Интерфейс: PCI Express 5.0 x4

Версия NVMe: 2.0

Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND

Контроллер: Samsung Presto S4LY027

Размеры устройств M.2: 2280

Ресурс записи: 1200 TBW

DRAM-буфер: Да

Аппаратное шифрование: Да AES 256bit

Скорость последовательного чтения: 14 700 Мбайт/с

Скорость последовательной записи: 13 300 Мбайт/с

Средняя скорость случайного чтения: 1 850 000 IOps

Средняя скорость случайной записи: 2 600 000 IOps

Энергопотребление (чтение/запись): 8.1 Вт режим записи 7.9 Вт

Энергопотребление (ожидание): 4.8 Вт

Время наработки на отказ (МТBF): 1 500 000 ч

Толщина: 2.38 мм

Охлаждение: Нет

Подсветка: Нет

Совместимость с PS5: Да

Тип поставки: RTL (Retail)

Пока не было вопросов.

Вы смотрели

MB Gigabyte B650M DS3H Soc-AM5 (B650) PCI-E 4.0x16 PCI-E 3.0x1 2xM.2 RAID 0/1/10 2.5GbE LAN 4xDDR5 6400MHz+ HDMI+2xDP mATX RTL
Нет в наличии

MB Gigabyte B650M DS3H Soc-AM5 (B650) PCI-E 4.0x16 PCI-E 3.0x1 2xM.2 RAID 0/1/10 2.5GbE LAN 4xDDR5 6400MHz+ HDMI+2xDP mATX RTL

Производитель:Gigabyte
Модель:B650M DS3H (rev. 1.0)
Артикул:79417
SO-DIMM DDR3 8Gb PC-12800 1600Mhz Netac Basic (NTBSD3N16SP-08) 1.35v
94.44BYN В наличии

SO-DIMM DDR3 8Gb PC-12800 1600Mhz Netac Basic (NTBSD3N16SP-08) 1.35v

Модель:Basic 8GB DDR3 SODIMM PC3-12800 NTBSD3N16SP-08
Артикул:72241
79.33BYN

Теги: Накопитель